Suppression of three dimensional twinning for a 100% yield of vertical GaAs nanowires on silicon
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
| Originalsprog | Engelsk |
|---|---|
| Tidsskrift | Nanoscale |
| Vol/bind | 4 |
| Sider (fra-til) | 1486-1490 |
| Antal sider | 5 |
| ISSN | 2040-3364 |
| DOI | |
| Status | Udgivet - 19 jan. 2012 |
ID: 37606153