Strain mapping in an InGaN/GaN nanowire using a nano-focused x-ray beam
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
| Originalsprog | Engelsk |
|---|---|
| Artikelnummer | 103101 |
| Tidsskrift | Applied Physics Letters |
| Vol/bind | 107 |
| Udgave nummer | 10 |
| Antal sider | 5 |
| ISSN | 0003-6951 |
| DOI | |
| Status | Udgivet - 7 sep. 2015 |
ID: 146288265