Quantum point contacts formed in GaAs/GaAlAs heterostructures by shallow etching and overgrowth - Alle medarbejdere på instituttet

Niels Bohr Institutet

Quantum point contacts formed in GaAs/GaAlAs heterostructures by shallow etching and overgrowth

Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

A. Kristensen
C.B. Soerensen
Lindelof, Poul Erik
J. Bo Jensen
Nygård, Jesper
M. Zaffalon
F. Beuscher
M.C. Michel
A. Forchel

Udgivelsesdato: 8 juli 1998

Originalsprog	Engelsk
Tidsskrift	Solid-State Electronics
Vol/bind	42
Udgave nummer	7-8
Sider (fra-til)	1103-1107
Antal sider	5
ISSN	0038-1101
DOI	https://doi.org/doi:10.1016/S0038-1101(97)00310-9
Status	Udgivet - 1998

Bibliografisk note

Ørsted Laboratoriet, Niels Bohr Institutet

ID: 201524