Peter Krogstrup Jeppesen

Peter Krogstrup Jeppesen

Executive Director, Professor, Professor

Medlem af:

    ORCID: 0000-0002-1930-8553

    Udgivelsesår:
    Alle
    111 - 120 ud af 142Pr. side: 10
    Sortering: 1. forfatter
    1. Udgivet

      Morphology and composition of oxidized InAs nanowires studied by combined Raman spectroscopy and transmission electron microscopy

      Tanta, R., Kanne, Thomas, Amaduzzi, F., Liao, Z., Madsen, M. H., Alarcón-Lladó, E., Krogstrup, Peter, Johnson, Erik, Morral, A. F. I., Vosch, Tom, Nygård, Jesper & Jespersen, T. S., 2016, I: Nanotechnology. 27, 30, 9 s., 305704.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    2. Udgivet

      InAs nanowire with epitaxial aluminium as a single-electron transistor with fixed tunnel barriers

      Taupin, M., Mannila, E., Krogstrup, Peter, Nguyen, Q. H., Albrecht, S. M., Nygård, Jesper, Marcus, Charles M. & Pekola, J. P., 28 nov. 2016, I: Physical Review Applied. 6, 7 s., 054017.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    3. Udgivet

      Spin-Orbit Splitting of Andreev States Revealed by Microwave Spectroscopy

      Tosi, L., Metzger, C., Goffman, M. F., Urbina, C., Pothier, H., Park, S., Yeyati, A. L., Nygård, Jesper & Krogstrup, Peter, 17 jan. 2019, I: Physical Review X. 9, 1, 13 s., 011010.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    4. Udgivet

      Three-Dimensional Multiple-Order Twinning of Self-Catalyzed GaAs Nanowires on Si Substrates

      Uccelli...[et al.], E., Arbiol, J., Magen, C., Krogstrup, Peter & Nygård, Jesper, 8 aug. 2011, I: Nano Letters. 11, 9, s. 3827-3832

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    5. Udgivet

      Towards low-dimensional hole systems in Be-doped GaAs nanowires

      Ullah, A. R., Gluschke, J. G., Krogstrup, Peter, Sørensen, Claus Birger, Nygård, Jesper & Micolich, A. P., 2017, I: Nanotechnology. 28, 13, 9 s., 134005.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    6. Udgivet

      p-GaAs Nanowire Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors with Near-Thermal Limit Gating

      Ullah, A. R., Meyer, F., Gluschke, J. G., Naureen, S., Caroff, P., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Micolich, A. P., 1 sep. 2018, I: Nano Letters. 18, 9, s. 5673-5680 8 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    7. Udgivet

      Near-thermal limit gating in heavily doped III-V semiconductor nanowires using polymer electrolytes

      Ullah, A. R., Carrad, Damon J., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Micolich, A. P., 5 feb. 2018, I: Physical Review Materials. 2, 2, 5 s., 025601.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    8. Udgivet

      Indium arsenide nanowire field-effect transistors for pH and biological sensing

      Upadhyay, S., Frederiksen, R. S., Lloret, N. D. C., De Vico, L., Krogstrup, Peter, Jensen, Jan Halborg, Martinez, Karen Laurence & Nygård, Jesper, 2014, I: Applied Physics Letters. 104, 20, 5 s., 203504.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    9. Udgivet

      Low temperature transport in p-doped InAs nanowires

      Upadhyay, S., Jespersen, T. S., Madsen, M. H., Krogstrup, Peter & Nygård, Jesper, 1 okt. 2013, I: Applied Physics Letters. 103, 16, 6 s., 162104.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    10. Udgivet

      Effective g Factor of Subgap States in Hybrid Nanowires

      Vaitiekenas, Saulius, Deng, M., Nygård, Jesper, Krogstrup, Peter & Marcus, Charles M., 20 jul. 2018, I: Physical Review Letters. 121, 3, 4 s., 037703.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    Forrige 1...8 9 10 11 12 13 14 15 Næste

    ID: 15747704