Characterization of top-gated Si/SiGe devices for spin qubit applications
Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport › Konferencebidrag i proceedings › Forskning › fagfællebedømt
| Originalsprog | Engelsk |
|---|---|
| Titel | 2019 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) |
| Udgivelsessted | Kyoto, Japan |
| Forlag | IEEE |
| Publikationsdato | 9 jun. 2019 |
| Sider | 111-112 |
| DOI | |
| Status | Udgivet - 9 jun. 2019 |
| Navn | IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) |
|---|---|
| ISSN | 2161-4636 |
ID: 234084719