Jesper Nygård

Jesper Nygård

Professor

Kommentarer til publikationsliste

Kun publikationer efter 1998 er vist på disse sider, 1993-1997 mangler i systemet.

Komplet liste: ResearcherID: http://www.researcherid.com/rid/F-5113-2014


  1. Udgivet

    Scalable Platform for Nanocrystal-Based Quantum Electronics

    Sestoft, Joachim Elbeshausen, Gejl, A. N., Kanne, Thomas, Schlosser, R. D., Ross, D., Kjær, D., Grove-Rasmussen, Kasper & Nygård, Jesper, 21 apr. 2022, I: Advanced Functional Materials. 32, 28, 10 s., 2112941.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  2. Udgivet

    Normal, superconducting and topological regimes of hybrid double quantum dots

    Sherman, D., Yodh, J. S., Albrecht, S. M., Nygård, Jesper, Krogstrup, Peter & Marcus, Charles M., 2 mar. 2017, I: Nature Nanotechnology. 12, s. 212-217

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  3. Udgivet

    Current-phase relations of few-mode InAs nanowire Josephson junctions

    Spanton, E. M., Deng, M., Vaitiekenas, Saulius, Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper, Marcus, Charles M. & Moler, K. A., 14 aug. 2017, I: Nature Physics. 13, 12, s. 1177-1181

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  4. Udgivet

    Direct transport between superconducting subgap states in a double quantum dot

    Steffensen, G. O., Saldana, J. C. E., Vekris, A., Krogstrup, Peter, Grove-Rasmussen, Kasper, Nygård, Jesper, Yeyati, A. L. & Paaske, Jens, 15 apr. 2022, I: Physical Review B. 105, 16, 6 s., 161302.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  5. Udgivet

    Integration of carbon nanotubes with semiconductor technology: fabriction of hybrid devices by III-V molecular beam epitaxy

    Stobbe, S., Lindelof, Poul Erik & Nygård, Jesper, 17 okt. 2006, I: Semiconductor Science and Technology. 21, 11, s. S10-S16

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  6. Udgivet

    Ambipolar transistor behavior in p-doped InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy

    Sørensen, B. S., Aagesen, M., Sørensen, Claus Birger, Lindelof, Poul Erik, Martinez, Karen Laurence & Nygård, Jesper, 2008, I: Applied Physics Letters. 92, 1, s. 012119

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  7. Udgivet

    Raman spectroscopy and electrical properties of InAs nanowires with local oxidation enabled by substrate micro-trenches and laser irradiation

    Tanta, R., Madsen, M. H., Liao, Z., Krogstrup, Peter, Vosch, Tom, Nygård, Jesper & Jespersen, T. S., 14 dec. 2015, I: Applied Physics Letters. 107, 24, 4 s., 243101.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  8. Udgivet

    Micro-Raman spectroscopy for the detection of stacking fault density in InAs and GaAs nanowires

    Tanta, R., Lindberg, C., Lehmann, S., Bolinsson, J., Carro-Temboury, M. R., Dick, K. A., Vosch, Tom, Jespersen, T. S. & Nygård, Jesper, 19 okt. 2017, I: Physical Review B. 96, 16, 7 s., 165433.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  9. Udgivet

    Morphology and composition of oxidized InAs nanowires studied by combined Raman spectroscopy and transmission electron microscopy

    Tanta, R., Kanne, Thomas, Amaduzzi, F., Liao, Z., Madsen, M. H., Alarcón-Lladó, E., Krogstrup, Peter, Johnson, Erik, Morral, A. F. I., Vosch, Tom, Nygård, Jesper & Jespersen, T. S., 2016, I: Nanotechnology. 27, 30, 9 s., 305704.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  10. Udgivet

    InAs nanowire with epitaxial aluminium as a single-electron transistor with fixed tunnel barriers

    Taupin, M., Mannila, E., Krogstrup, Peter, Nguyen, Q. H., Albrecht, S. M., Nygård, Jesper, Marcus, Charles M. & Pekola, J. P., 28 nov. 2016, I: Physical Review Applied. 6, 7 s., 054017.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

ID: 12744