Damon James Carrad

Damon James Carrad

Ekstern


  1. 2022
  2. Udgivet

    InAs/MoRe Hybrid Semiconductor/Superconductor Nanowire Devices

    Kousar, B., Carrad, Damon J., Stampfer, L., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Jespersen, T. S., 4 nov. 2022, I: Nano Letters. 2022, s. 8845-8851 7 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  3. Udgivet

    Photon-Assisted Tunneling of High-Order Multiple Andreev Reflections in Epitaxial Nanowire Josephson Junctions

    Carrad, Damon J., Stampfer, L., Olsteins, Dags, Petersen, C. E. N., Khan, S. A. .., Krogstrup, Peter & Jespersen, T. S., 21 jul. 2022, I: Nano Letters. 22, 15, s. 6262-6267 6 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  4. Udgivet

    Andreev Interference in the Surface Accumulation Layer of Half-Shell InAsSb/Al Hybrid Nanowires

    Stampfer, L., Carrad, Damon J., Olsteins, Dags, Petersen, C. E. N., Khan, S. A., Krogstrup, Peter & Jespersen, T. S., 17 mar. 2022, I: Advanced Materials. 34, 11, 7 s., 2108878.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  5. Udgivet

    Doubling the mobility of InAs/InGaAs selective area grown nanowires

    Beznasiuk, D., Marti-Sanchez, S., Kang, J., Tanta, R., Stankevic, T., Rajpalke, M., Christensen, A. W., Spadaro, M. C., Bergamaschini, R., Maka, N. N., Petersen, C. E. N., Carrad, Damon J., Jespersen, T. S., Arbiol, J. & Krogstrup, Peter, 16 mar. 2022, I: Physical Review Materials. 6, 3, 9 s., 034602.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

ID: 170616736