Damon James Carrad

Damon James Carrad

Adjunkt

ORCID: 0000-0003-0372-8593

Udgivelsesår:
Alle
1 - 8 ud af 8Pr. side: 10
Sortering: Udgivelsesdato
  1. 2020
  2. Udgivet

    g-factors in LaAlO3/SrTiO3 quantum dots

    Bjorlig, A. V., Carrad, Damon J., Prawiroatmodjo, G. E. D. K., von Soosten, M., Gan, Y., Chen, Y., Pryds, N., Paaske, Jens & Jespersen, Thomas Sand, 3 dec. 2020, I : Physical Review Materials. 4, 12, 6 s., 122001.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  3. Udgivet

    Shadow Epitaxy for In Situ Growth of Generic Semiconductor/Superconductor Hybrids

    Carrad, Damon J., Bjergfelt, M., Kanne, Thomas, Aagesen, M., Krizek, F., Fiordaliso, E. M., Johnson, E., Nygård, Jesper & Jespersen, Thomas Sand, 26 apr. 2020, I : Advanced Materials. 2020, 9 s., 1908411.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  4. 2019
  5. Udgivet

    Quantum-Confinement-Enhanced Thermoelectric Properties in Modulation-Doped GaAs-AlGaAs Core-Shell Nanowires

    Fust, S., Faustmann, A., Carrad, Damon J., Bissinger, J., Loitsch, B., Doeblinger, M., Becker, J., Abstreiter, G., Finley, J. J. & Koblmueller, G., 9 dec. 2019, I : Advanced Materials. 32, 4, 11 s., 1905458.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  6. Udgivet

    Superconducting vanadium/indium-arsenide hybrid nanowires

    Bjergfelt, M., Carrad, Damon J., Kanne, Thomas, Aagesen, M., Fiordaliso, E. M., Johnson, E., Shojaei, B., Palmstrom, C. J., Krogstrup, Peter, Jespersen, Thomas Sand & Nygård, Jesper, 19 jul. 2019, I : Nanotechnology. 30, 29, 8 s., 294005.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  7. Udgivet

    Diluted Oxide Interfaces with Tunable Ground States

    Gan, Y., Christensen, D. V., Zhang, Y., Zhang, H., Krishnan, D., Zhong, Z., Niu, W., Carrad, Damon J., Norrman, K., von Soosten, M., Jespersen, Thomas Sand, Shen, B., Gauquelin, N., Verbeeck, J., Sun, J., Pryds, N. & Chen, Y., 8 mar. 2019, I : Advanced Materials. 31, 10, 9 s., 1805970.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  8. Udgivet

    Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors

    Gluschke, J. G., Seidl, J., Burke, A. M., Lyttleton, R. W., Carrad, Damon J., Ullah, A. R., Fahlvik, S., Lehmann, S., Linke, H. & Micolich, A. P., 8 feb. 2019, I : Nanotechnology. 30, 6, 8 s., 064001.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  9. 2018
  10. Udgivet

    Using Ultrathin Parylene Films as an Organic Gate Insulator in Nanowire Field-Effect Transistors

    Gluschke, J. G., Seid, J., Lyttleton, R. W., Carrad, Damon J., Cochrane, J. W., Lehrnann, S., Samuelson, L. & Micolich, A. P., jul. 2018, I : Nano Letters. 18, 7, s. 4431-4439

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  11. Udgivet

    Near-thermal limit gating in heavily doped III-V semiconductor nanowires using polymer electrolytes

    Ullah, A. R., Carrad, Damon J., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Micolich, A. P., 5 feb. 2018, I : Physical Review Materials. 2, 2, 5 s., 025601.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

ID: 170616736