Damon James Carrad

Damon James Carrad

Ekstern


  1. Udgivet

    Epitaxial Pb on InAs nanowires for quantum devices

    Kanne, Thomas, Marnauza, M., Olsteins, Dags, Carrad, Damon J., Sestoft, Joachim Elbeshausen, De Bruijckere, J., Zeng, L., Johnson, Erik, Olsson, E., Grove-Rasmussen, Kasper & Nygård, Jesper, 10 maj 2021, I: Nature Nanotechnology. 16, s. 776-781 10 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  2. Udgivet

    Epitaxially Driven Phase Selectivity of Sn in Hybrid Quantum Nanowires

    Khan, S. A., Martí-Sánchez, S., Olsteins, Dags, Lampadaris, Charalampos, Carrad, Damon J., Liu, Y., Quiñones, J., Chiara Spadaro, M., Sand Jespersen, T., Krogstrup, Peter & Arbiol, J., 27 jun. 2023, I: ACS Nano. 17, 12, s. 11794-11804 11 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  3. Udgivet

    InAs/MoRe Hybrid Semiconductor/Superconductor Nanowire Devices

    Kousar, B., Carrad, Damon J., Stampfer, L., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Jespersen, T. S., 4 nov. 2022, I: Nano Letters. 2022, s. 8845-8851 7 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  4. Udgivet

    Andreev Interference in the Surface Accumulation Layer of Half-Shell InAsSb/Al Hybrid Nanowires

    Stampfer, L., Carrad, Damon J., Olsteins, Dags, Petersen, C. E. N., Khan, S. A., Krogstrup, Peter & Jespersen, T. S., 17 mar. 2022, I: Advanced Materials. 34, 11, 7 s., 2108878.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  5. Udgivet

    Near-thermal limit gating in heavily doped III-V semiconductor nanowires using polymer electrolytes

    Ullah, A. R., Carrad, Damon J., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Micolich, A. P., 5 feb. 2018, I: Physical Review Materials. 2, 2, 5 s., 025601.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

Forrige 1 2 Næste

ID: 170616736