Stages in molecular beam epitaxy growth of GaAs nanowires studied by x-ray diffraction

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

OriginalsprogEngelsk
TidsskriftNanotechnology
Vol/bind21
Udgave nummer11
Sider (fra-til)115603
Antal sider7
ISSN0957-4484
DOI
StatusUdgivet - 19 mar. 2010

ID: 32335216