Facet structure of GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
| Originalsprog | Engelsk |
|---|---|
| Tidsskrift | Applied Physics Letters |
| Vol/bind | 91 |
| Udgave nummer | 8 |
| Sider (fra-til) | 083106 |
| ISSN | 0003-6951 |
| DOI | |
| Status | Udgivet - 22 aug. 2007 |
ID: 9513663