AlGaAs/GaAs single electron transistor fabricated without modulation doping

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

OriginalsprogEngelsk
TidsskriftApplied Physics Letters
Vol/bind96
Udgave nummer11
Sider (fra-til)112104
Antal sider3
ISSN0003-6951
DOI
StatusUdgivet - 19 mar. 2010

ID: 32192740