Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
| Originalsprog | Engelsk |
|---|---|
| Artikelnummer | 064001 |
| Tidsskrift | Nanotechnology |
| Vol/bind | 30 |
| Udgave nummer | 6 |
| Antal sider | 8 |
| ISSN | 0957-4484 |
| DOI | |
| Status | Udgivet - 8 feb. 2019 |
Links
- https://arxiv.org/pdf/1810.03359
Indsendt manuskript
ID: 216157829