Poul Erik Lindelof

Poul Erik Lindelof

Emeritus

Medlem af:

    ORCID: 0000-0001-6149-281X

    Udgivelsesår:
    Alle
    11 - 20 ud af 141Pr. side: 10
    Sortering: 1. forfatter
    1. Udgivet

      Supercurrent Induced by Injection at V=delta(T)/e in a Three-terminal Superconductor-Semiconductor Device

      Taboryski, R. J., Kutchinsky, J., Soerensen, C. B., Hansen, J. B. & Lindelof, Poul Erik, 2000, I: Journal of Low Temperature Physics. 118, s. 663-669

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning

    2. Udgivet

      A new singularity in the coherent coupling in Al/GaAs/Al SNS junctions at the bias voltage corresponding to the superconducting energy gap

      Taboryski, R. J., Kutchinsky, J., Kuhn, O., Lindelof, Poul Erik, Kristensen, A., Jacobsen, C. S., Hansen, Bindslev, J., Skov, J. L. & Sørensen, Claus Birger, 1998, I: Physica B: Condensed Matter. 249, 1-4, s. 480-484

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    3. Udgivet

      Non-linear conductance at small driving voltages in quantum point contacts

      Taboryski, R. J., Geim, A. K., Persson, M. & Lindelof, Poul Erik, 1994, I: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. 49, s. 7813-7816

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning

    4. Udgivet

      Rectification of current in quantum point contacts made from AlGaAs-GaAs heterostructures

      Taboryski, R. J., Geim, A. K. & Lindelof, Poul Erik, 1994, I: Physica B: Condensed Matter. 196, s. 1131-1132

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning

    5. Udgivet

      High mobility inverted GaAs/AlGaAs HEMTs

      Sørensen, C. B., Lindelof, Poul Erik, Taboryski, R. J. & Kristensen, A., 1993, Proc. of Seventh European Workshop on Molecular Beam Epitaxy. Bardonecchia, Italy, s. PD3-PD4

      Publikation: Bidrag til bog/antologi/rapport › Bidrag til bog/antologi › Forskning

    6. Udgivet

      Dependence of Curie temperature on the thickness of epitaxial (Ga,Mn)As film

      Sørensen, B. S., Sadowski, J., Andresen, S. E. & Lindelof, Poul Erik, 2002, I: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. 66, 23, s. 2333134

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    7. Udgivet

      Effect of annealing on carrier density and curie temperature in epitaxial (Ga,Mn) As thin films

      Sørensen, B. S., Lindelof, Poul Erik, Sadowski, J., Mathieu, R. & Svedlindh, P., 2003, I: Applied Physics Letters. 82, 14, s. 2287-2289

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    8. Udgivet

      Ambipolar transistor behavior in p-doped InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy

      Sørensen, B. S., Aagesen, M., Sørensen, Claus Birger, Lindelof, Poul Erik, Martinez, Karen Laurence & Nygård, Jesper, 2008, I: Applied Physics Letters. 92, 1, s. 012119

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    9. Udgivet

      Integration of carbon nanotubes with semiconductor technology: fabriction of hybrid devices by III-V molecular beam epitaxy

      Stobbe, S., Lindelof, Poul Erik & Nygård, Jesper, 17 okt. 2006, I: Semiconductor Science and Technology. 21, 11, s. S10-S16

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

    10. Udgivet

      CBED crystal polarity analysis of compound semiconductor nanostructures

      Spiecker, E., Jäger, W., Johnson, Erik, Aagesen, M., Sørensen, C. B. & Lindelof, Poul Erik, 2007, I: Microscopy and Microanalysis. 13, Suppl. 3, s. 120-121 2 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskrift › Konferenceartikel › Forskning

    Forrige 1 2 3 4 5 6 7 8 ...15 Næste

    ID: 37832380