Damon James Carrad

Damon James Carrad

Ekstern


  1. Udgivet

    Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors

    Gluschke, J. G., Seidl, J., Burke, A. M., Lyttleton, R. W., Carrad, Damon J., Ullah, A. R., Fahlvik, S., Lehmann, S., Linke, H. & Micolich, A. P., 8 feb. 2019, I: Nanotechnology. 30, 6, 8 s., 064001.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  2. Udgivet

    Diluted Oxide Interfaces with Tunable Ground States

    Gan, Y., Christensen, D. V., Zhang, Y., Zhang, H., Krishnan, D., Zhong, Z., Niu, W., Carrad, Damon J., Norrman, K., von Soosten, M., Jespersen, T. S., Shen, B., Gauquelin, N., Verbeeck, J., Sun, J., Pryds, N. & Chen, Y., 8 mar. 2019, I: Advanced Materials. 31, 10, 9 s., 1805970.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  3. Udgivet

    Quantum-Confinement-Enhanced Thermoelectric Properties in Modulation-Doped GaAs-AlGaAs Core-Shell Nanowires

    Fust, S., Faustmann, A., Carrad, Damon J., Bissinger, J., Loitsch, B., Doeblinger, M., Becker, J., Abstreiter, G., Finley, J. J. & Koblmueller, G., 9 dec. 2019, I: Advanced Materials. 32, 4, 11 s., 1905458.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  4. Udgivet

    Superconducting vanadium/indium-arsenide hybrid nanowires

    Bjergfelt, M., Carrad, Damon J., Kanne, Thomas, Aagesen, M., Fiordaliso, E. M., Johnson, Erik, Shojaei, B., Palmstrom, C. J., Krogstrup, Peter, Jespersen, T. S. & Nygård, Jesper, 19 jul. 2019, I: Nanotechnology. 30, 29, 8 s., 294005.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

ID: 170616736