Damon James Carrad

Damon James Carrad

Ekstern


  1. Udgivet

    Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors

    Gluschke, J. G., Seidl, J., Burke, A. M., Lyttleton, R. W., Carrad, Damon J., Ullah, A. R., Fahlvik, S., Lehmann, S., Linke, H. & Micolich, A. P., 8 feb. 2019, I: Nanotechnology. 30, 6, 8 s., 064001.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  2. Udgivet

    Andreev Interference in the Surface Accumulation Layer of Half-Shell InAsSb/Al Hybrid Nanowires

    Stampfer, L., Carrad, Damon J., Olsteins, Dags, Petersen, C. E. N., Khan, S. A., Krogstrup, Peter & Jespersen, T. S., 17 mar. 2022, I: Advanced Materials. 34, 11, 7 s., 2108878.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  3. Udgivet

    Diluted Oxide Interfaces with Tunable Ground States

    Gan, Y., Christensen, D. V., Zhang, Y., Zhang, H., Krishnan, D., Zhong, Z., Niu, W., Carrad, Damon J., Norrman, K., von Soosten, M., Jespersen, T. S., Shen, B., Gauquelin, N., Verbeeck, J., Sun, J., Pryds, N. & Chen, Y., 8 mar. 2019, I: Advanced Materials. 31, 10, 9 s., 1805970.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  4. Udgivet

    Doubling the mobility of InAs/InGaAs selective area grown nanowires

    Beznasiuk, D., Marti-Sanchez, S., Kang, J., Tanta, R., Stankevic, T., Rajpalke, M., Christensen, A. W., Spadaro, M. C., Bergamaschini, R., Maka, N. N., Petersen, C. E. N., Carrad, Damon J., Jespersen, T. S., Arbiol, J. & Krogstrup, Peter, 16 mar. 2022, I: Physical Review Materials. 6, 3, 9 s., 034602.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  5. Udgivet

    Epitaxial Pb on InAs nanowires for quantum devices

    Kanne, Thomas, Marnauza, M., Olsteins, Dags, Carrad, Damon J., Sestoft, Joachim Elbeshausen, De Bruijckere, J., Zeng, L., Johnson, Erik, Olsson, E., Grove-Rasmussen, Kasper & Nygård, Jesper, 10 maj 2021, I: Nature Nanotechnology. 16, s. 776-781 10 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  6. Udgivet

    Epitaxially Driven Phase Selectivity of Sn in Hybrid Quantum Nanowires

    Khan, S. A., Martí-Sánchez, S., Olsteins, Dags, Lampadaris, Charalampos, Carrad, Damon J., Liu, Y., Quiñones, J., Chiara Spadaro, M., Sand Jespersen, T., Krogstrup, Peter & Arbiol, J., 27 jun. 2023, I: ACS Nano. 17, 12, s. 11794-11804 11 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  7. Udgivet

    InAs/MoRe Hybrid Semiconductor/Superconductor Nanowire Devices

    Kousar, B., Carrad, Damon J., Stampfer, L., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Jespersen, T. S., 4 nov. 2022, I: Nano Letters. 2022, s. 8845-8851 7 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  8. Udgivet

    Near-thermal limit gating in heavily doped III-V semiconductor nanowires using polymer electrolytes

    Ullah, A. R., Carrad, Damon J., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Micolich, A. P., 5 feb. 2018, I: Physical Review Materials. 2, 2, 5 s., 025601.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  9. Udgivet

    Photon-Assisted Tunneling of High-Order Multiple Andreev Reflections in Epitaxial Nanowire Josephson Junctions

    Carrad, Damon J., Stampfer, L., Olsteins, Dags, Petersen, C. E. N., Khan, S. A. .., Krogstrup, Peter & Jespersen, T. S., 21 jul. 2022, I: Nano Letters. 22, 15, s. 6262-6267 6 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  10. Udgivet

    Quantum-Confinement-Enhanced Thermoelectric Properties in Modulation-Doped GaAs-AlGaAs Core-Shell Nanowires

    Fust, S., Faustmann, A., Carrad, Damon J., Bissinger, J., Loitsch, B., Doeblinger, M., Becker, J., Abstreiter, G., Finley, J. J. & Koblmueller, G., 9 dec. 2019, I: Advanced Materials. 32, 4, 11 s., 1905458.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  11. Udgivet

    Shadow Epitaxy for In Situ Growth of Generic Semiconductor/Superconductor Hybrids

    Carrad, Damon J., Bjergfelt, M., Kanne, Thomas, Aagesen, M., Krizek, F., Fiordaliso, E. M., Johnson, Erik, Nygård, Jesper & Jespersen, T. S., 26 apr. 2020, I: Advanced Materials. 2020, 9 s., 1908411.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  12. Udgivet

    Superconducting vanadium/indium-arsenide hybrid nanowires

    Bjergfelt, M., Carrad, Damon J., Kanne, Thomas, Aagesen, M., Fiordaliso, E. M., Johnson, Erik, Shojaei, B., Palmstrom, C. J., Krogstrup, Peter, Jespersen, T. S. & Nygård, Jesper, 19 jul. 2019, I: Nanotechnology. 30, 29, 8 s., 294005.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  13. Udgivet

    Superconductivity and Parity Preservation in As-Grown In Islands on InAs Nanowires

    Bjergfelt, M. S., Carrad, Damon J., Kanne, Thomas, Johnson, Erik, Fiordaliso, E. M., Jespersen, T. S. & Nygård, Jesper, 8 dec. 2021, I: Nano Letters. 21, 23, s. 9875-9881 7 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  14. Udgivet

    Using Ultrathin Parylene Films as an Organic Gate Insulator in Nanowire Field-Effect Transistors

    Gluschke, J. G., Seid, J., Lyttleton, R. W., Carrad, Damon J., Cochrane, J. W., Lehrnann, S., Samuelson, L. & Micolich, A. P., jul. 2018, I: Nano Letters. 18, 7, s. 4431-4439

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

  15. Udgivet

    g-factors in LaAlO3/SrTiO3 quantum dots

    Bjorlig, A. V., Carrad, Damon J., Prawiroatmodjo, G. E. D. K., von Soosten, M., Gan, Y., Chen, Y., Pryds, N., Paaske, Jens & Jespersen, T. S., 3 dec. 2020, I: Physical Review Materials. 4, 12, 6 s., 122001.

    Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelfagfællebedømt

ID: 170616736