Damon James Carrad

Damon James Carrad

Ekstern

ORCID: 0000-0003-0372-8593

Udgivelsesår:
Alle
1 - 10 ud af 15Pr. side: 10
Sortering: Titel
  1. Udgivet

    Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors

    Gluschke, J. G., Seidl, J., Burke, A. M., Lyttleton, R. W., Carrad, Damon J., Ullah, A. R., Fahlvik, S., Lehmann, S., Linke, H. & Micolich, A. P., 8 feb. 2019, I: Nanotechnology. 30, 6, 8 s., 064001.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  2. Udgivet

    Andreev Interference in the Surface Accumulation Layer of Half-Shell InAsSb/Al Hybrid Nanowires

    Stampfer, L., Carrad, Damon J., Olsteins, Dags, Petersen, C. E. N., Khan, S. A., Krogstrup, Peter & Jespersen, T. S., 17 mar. 2022, I: Advanced Materials. 34, 11, 7 s., 2108878.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  3. Udgivet

    Diluted Oxide Interfaces with Tunable Ground States

    Gan, Y., Christensen, D. V., Zhang, Y., Zhang, H., Krishnan, D., Zhong, Z., Niu, W., Carrad, Damon J., Norrman, K., von Soosten, M., Jespersen, T. S., Shen, B., Gauquelin, N., Verbeeck, J., Sun, J., Pryds, N. & Chen, Y., 8 mar. 2019, I: Advanced Materials. 31, 10, 9 s., 1805970.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  4. Udgivet

    Doubling the mobility of InAs/InGaAs selective area grown nanowires

    Beznasiuk, D., Marti-Sanchez, S., Kang, J., Tanta, R., Stankevic, T., Rajpalke, M., Christensen, A. W., Spadaro, M. C., Bergamaschini, R., Maka, N. N., Petersen, C. E. N., Carrad, Damon J., Jespersen, T. S., Arbiol, J. & Krogstrup, Peter, 16 mar. 2022, I: Physical Review Materials. 6, 3, 9 s., 034602.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  5. Udgivet

    Epitaxial Pb on InAs nanowires for quantum devices

    Kanne, Thomas, Marnauza, M., Olsteins, Dags, Carrad, Damon J., Sestoft, Joachim Elbeshausen, De Bruijckere, J., Zeng, L., Johnson, Erik, Olsson, E., Grove-Rasmussen, Kasper & Nygård, Jesper, 10 maj 2021, I: Nature Nanotechnology. 16, s. 776-781 10 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  6. Udgivet

    Epitaxially Driven Phase Selectivity of Sn in Hybrid Quantum Nanowires

    Khan, S. A., Martí-Sánchez, S., Olsteins, Dags, Lampadaris, Charalampos, Carrad, Damon J., Liu, Y., Quiñones, J., Chiara Spadaro, M., Sand Jespersen, T., Krogstrup, Peter & Arbiol, J., 27 jun. 2023, I: ACS Nano. 17, 12, s. 11794-11804 11 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  7. Udgivet

    InAs/MoRe Hybrid Semiconductor/Superconductor Nanowire Devices

    Kousar, B., Carrad, Damon J., Stampfer, L., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Jespersen, T. S., 4 nov. 2022, I: Nano Letters. 2022, s. 8845-8851 7 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  8. Udgivet

    Near-thermal limit gating in heavily doped III-V semiconductor nanowires using polymer electrolytes

    Ullah, A. R., Carrad, Damon J., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Micolich, A. P., 5 feb. 2018, I: Physical Review Materials. 2, 2, 5 s., 025601.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  9. Udgivet

    Photon-Assisted Tunneling of High-Order Multiple Andreev Reflections in Epitaxial Nanowire Josephson Junctions

    Carrad, Damon J., Stampfer, L., Olsteins, Dags, Petersen, C. E. N., Khan, S. A. .., Krogstrup, Peter & Jespersen, T. S., 21 jul. 2022, I: Nano Letters. 22, 15, s. 6262-6267 6 s.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  10. Udgivet

    Quantum-Confinement-Enhanced Thermoelectric Properties in Modulation-Doped GaAs-AlGaAs Core-Shell Nanowires

    Fust, S., Faustmann, A., Carrad, Damon J., Bissinger, J., Loitsch, B., Doeblinger, M., Becker, J., Abstreiter, G., Finley, J. J. & Koblmueller, G., 9 dec. 2019, I: Advanced Materials. 32, 4, 11 s., 1905458.

    Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

Forrige 1 2 Næste

ID: 170616736