Micro-Raman spectroscopy for the detection of stacking fault density in InAs and GaAs nanowires

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

OriginalsprogEngelsk
Artikelnummer165433
TidsskriftPhysical Review B
Vol/bind96
Udgave nummer16
Antal sider7
ISSN2469-9950
DOI
StatusUdgivet - 19 okt. 2017

ID: 185228649