Influence of the oxide layer for growth of self-assisted InAs nanowires on Si(111)

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

OriginalsprogEngelsk
TidsskriftNanoscale Research Letters
Vol/bind6
Sider (fra-til)516
ISSN1931-7573
DOI
StatusUdgivet - 31 aug. 2011

ID: 35347410